目前，南京郵電大學2024年820半導體物理考研大綱已發(fā)布！考研大綱可以幫助同學們調整和明確復習方向，為專業(yè)課復習打下堅實的基礎，因此小編為大家整理了2024南京郵電大學820半導體物理考研大綱的詳細內容，有需要的同學快來看看吧！
南京郵電大學820半導體物理考研大綱
　　一、南京郵電大學820半導體物理基本要求
　　《半導體物理》碩士研究生入學考試內容主要包括半導體物理的基本概念、基礎理論和基本計算；考試命題注重測試考生對相關的物理基本概念的理解、對基本問題的分析和應用，強調物理概念的清晰和對半導體物理問題的綜合分析。
　　二、南京郵電大學820半導體物理考試范圍
　　1、半導體中電子狀態(tài)
　　1.1半導體的晶格結構和結合性質
　　1.2半導體中的電子狀態(tài)和能帶
　　1.3半導體中電子的運動有效質量
　　1.4本征半導體的導電機構空穴
　　1.5回旋共振
　　1.6硅，鍺和砷化鎵的能帶結構
　　2、半導體中雜質和缺陷能級
　　2.1硅、鍺晶體中的雜質能級
　　2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質能級
　　2.3缺陷、位錯能級
　　3、半導體中載流子的統(tǒng)計分布
　　3.1狀態(tài)密度
　　3.2費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
　　3.3本征半導體的載流子濃度
　　3.4雜質半導體的載流子濃度
　　3.5一般情況下的載流子統(tǒng)計分布
　　3.6簡并半導體
　　4、半導體的導電性
　　4.1載流子的漂移運動遷移率
　　4.2載流子的散射
　　4.3遷移率與雜質濃度和溫度的關系
　　4.4電阻率及其與雜質濃度和溫度的關系
　　4.5玻耳茲曼方程電導率的統(tǒng)計理論
　　4.6強電場下的效應熱載流子
　　5、非平衡載流子
　　5.1非平衡載流子的注入和復合
　　5.2非平衡載流子的壽命
　　5.3準費米能級
　　5.4復合理論
　　5.5陷阱效應
　　5.6載流子的擴散運動
　　5.7載流子的漂移運動,愛因斯坦關系式
　　5.8連續(xù)性方程
　　6、p-n結
　　6.1 p-n結及其能帶圖
　　6.2 p-n結電流電壓特性
　　6.3 p-n結電容
　　6.4 p-n結擊穿
　　7、金屬和半導體接觸
　　7.1金屬半導體接觸及其能級圖
　　7.2肖特基勢壘二極管
　　8、半導體表面與MIS結構
　　8.1表面電場效應
　　內容來源：南京郵電大學研招院官網
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